申請（專利）號：CN200810009691.6申請日：2008.02.20
公開（公告）號：CN101276821公開（公告）日：2008.10.01
主分類號：H01L27/144(2006.01)I范疇分類：
分類號：H01L27/144(2006.01)I；H01L21/84(2006.01)I；G01J1/42(2006.01)I
優(yōu)先權：2007.3.29 JP 2007-089224
申請（專利權）人：沖電氣工業(yè)株式會社
地址：日本東京
國省代碼：日本；JP
發(fā)明（設計）人：三浦規(guī)之；千葉正
國際申請：
國際公布：
進入國家日期：
專利代理機構：北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司
代理人：黃綸偉
分案申請?zhí)枺?br /> 頒證日：






摘要：
本發(fā)明提供一種可以將UV-A波和UV-B波這兩個波長區(qū)域的紫外線量分離檢測的紫外線感光元件。作為解決手段，該紫外線感光元件具有：形成于絕緣層上的厚度大于等于3nm且小于等于36nm的硅半導體層；形成于該硅半導體層上的橫向PN接合形式的第1光電二極管和第2光電二極管；形成于硅半導體層上的層間絕緣膜；形成于第1光電二極管上的層間絕緣膜上，由使UV-B波以上的波長區(qū)域的光透射的氮化硅構成的第1濾光層；以及形成于第2光電二極管上的層間絕緣膜上，由使UV-A波以上的波長區(qū)域的光透射的氮化硅構成的第2濾光層。
主權項：
一種紫外線感光元件，其特征在于，該紫外線感光元件具有：形成于絕緣層上的厚度大于等于3nm且小于等于36nm的硅半導體層；形成于該硅半導體層上的橫向PN接合形式的第1光電二極管和第2光電二極管；形成于所述硅半導體層上的層間絕緣膜；形成于所述第1光電二極管上的所述層間絕緣膜上，由使UV-B波以上的波長區(qū)域的光透射的氮化硅構成的第1濾光層；以及形成于所述第2光電二極管上的所述層間絕緣膜上，由使UV-A波以上的波長區(qū)域的光透射的氮化硅構成的第2濾光層。http://www.dgzhenghang.cn