L6號電解液：Na2SiO3+KOH+T8 g/l 2 g/l 5-15 g/l選四組平行試樣進行等離子體電解氧化，K2Cr2O7：Na2WO4：Na2B4O7＝1：1：1.6的比例進行試驗。如表3-16所示。由表3-16知，多種添加劑共同作用形成的陶瓷膜層厚度明顯增加，鋁的衍射峰明顯降低，α-A12O3和γ-A12O3的衍射峰顯著提高。
 

 
 
同時檢測到WAl12相(如圖3-32)。試驗過程中還發(fā)現(xiàn)，當(dāng)T含量大于15 g/l時試樣表面無法形成微弧放電，等離子體電解氧化過程不能進行。分析認(rèn)為可能是由于添加劑含量過多，致使電解液分散性不好，在PEO過程中影響其向鋁基體表面的傳質(zhì)。多種混合添加劑共同作用下生成的PEO陶瓷層的表面形貌如圖3-33所示。
 


 
 
可見，此時形成的陶瓷膜層表面較為光滑，放電孔道明顯減少，陶瓷層封閉較好。同時，在高倍下(圖3-33(b))看到，PEO陶瓷層表面出現(xiàn)微裂紋。這可能是由于Na2WO4的加入導(dǎo)致γ-A1203相轉(zhuǎn)化為α-A1203的轉(zhuǎn)化率變大，由于轉(zhuǎn)化過程中的體積收縮作用使得膜層中的應(yīng)力也逐漸增大，當(dāng)應(yīng)力增大到一定程度后會使膜層產(chǎn)生許多相變微裂紋。
分析認(rèn)為：K2Cr2O7作為強氧化劑，鉻酸鹽為緩蝕劑，在PEO過程中抑制了多孔層的生長，導(dǎo)致外部多孔層厚度變小，這樣有利于氧進入內(nèi)部緊密層，使來自基體的鋁被更加有效的氧化，這樣就提高了膜層中鋁含量；WO42-很容易吸附到鋁合金基體的表面，使鋁合金表面形成均勻、致密的氧化膜，有助于等離子體電解氧化反應(yīng)的進行。同時吸附在鋁基體的WO42-成為外來雜質(zhì)放電中心，產(chǎn)生等離子放電，使氧化膜表面熔融、燒結(jié)，形成具有陶瓷結(jié)構(gòu)的膜層。隨WO42-質(zhì)量濃度的增加，表面放電中心相應(yīng)增多，槽壓下降。Na2WO4的加入，能抑制等離子體電解氧化陶瓷層中多孔層的增厚，使層中Al元素的氧化反應(yīng)更加充分，有利于α-A12O3的形成；在等離子體電解液中加入Na2B4O7后，其在電解氧化過程中會發(fā)生分解，并且參與成膜反應(yīng)，與鋁化合形成了AlB2和AlB12兩種相。并且由于Na2B4O7的加入使微區(qū)弧光放電溫度增加，有利于γ-A12O3向α-A12O3的轉(zhuǎn)變。由于α-A12O3硬質(zhì)相提高，使致密層厚度增加，可明顯提高膜層的耐腐蝕性能。http://www.dgzhenghang.cn