申請（專利）號：CN200610111462.6申請日：2006.08.22
公開（公告）號：CN1921159公開（公告）日：2007.02.28
主分類號：H01L33/00(2006.01)范疇分類：
分類號：H01L33/00(2006.01)
優(yōu)先權(quán)：2005.08.23 US 11/210,714
申請（專利權(quán)）人：安華高科技ECBUIP（新加坡）私人有限公司
地址：新加坡新加坡市
國省代碼：新加坡；SG
發(fā)明（設(shè)計）人：蔡美鶯；雷內(nèi)·P·海爾兵；莫澤林；伍啟元；陳吉恩；古沃凱；劉宇宏
國際申請：
國際公布：
進(jìn)入國家日期：
專利代理機(jī)構(gòu)：北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
代理人：柳春雷
分案申請?zhí)枺?br /> 頒證日：





摘要：
一種光源，其可利用半導(dǎo)體輻射源產(chǎn)生白色光。該半導(dǎo)體輻射源可以是紫外(“UV”)發(fā)光二極管(“LED”)器件，其發(fā)出例如近紫色或紫外光的較短波長的光。磷光體的薄膜可以沉積或涂在UV LED的表面上或直接設(shè)置在UV LED之上。該光源還可包括輻射地連接至薄的磷光體層的UV反光板，其允許從薄的磷光體發(fā)出的可見白色光穿過并將較短波長的光反射回至薄的磷光體層。

主權(quán)項：
一種可發(fā)出可見光的光源，所述光源包括：
※、半導(dǎo)體輻射源；
※、位于所述半導(dǎo)體輻射源的表面之上的磷光體層，當(dāng)被來自所述半導(dǎo)體輻射源的、由所述磷光體層吸收的輻射激發(fā)時，所述磷光體層發(fā)出光；
※、及紫外反光板，其被配置為將來自所述半導(dǎo)體輻射源的、未被所述薄的磷光體層吸收的部分輻射反射回至所述薄的磷光體層。http://www.dgzhenghang.cn